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CMP研磨

CMPはChemical Mechanical Polishingの略で、化学的機械研磨とも訳されます。研磨を砥粒がワークの表面を削っていくという機械的な作用だけでなく、砥粒と加工ワークとの間や研磨液、研削液との間で化学的作用も起こしており、それにより表面を平坦化していく研磨です。特に高精度の表面粗さが求められる半導体用のウエハの平坦化で活躍している手法で、具体的にはラップ研磨による加工になります。粒度も数千といった通常の仕上げ研磨で用いられるレベルから、数十万といった粒子径がナノに入るようなレベルの粒度が用いられることもあります。

ウエハのCMPプロセスといった場合、CMPスラリーだけを供給しているというのはどちらかといえば稀で、研磨のためのソリューションを装置や砥粒の設計段階からトータルに行っていくというスタイルが業界では多いようです。単価的な問題もありますが、この分野に非常に高度な技術的な知識が求められるということとも関係しています。

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